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忆阻器基础性能研究

来源：admin 时间：2022-11-07 16:13 浏览量：245

忆阻器件有两个典型的阻值状态,分别是高阻态(HRS)和低阻态(LRS),高阻态具有很高的阻值,通常为几kΩ到几MΩ,低阻态具有较低的阻值,通常为几百Ω。

忆阻器的阻变行为最主要是体现在它的I-V曲线图上，不同种材料构成的忆阻器件在许多细节上存在差异,依据阻值的变化随外加电压或电流变化的不同,可以分为两种,分别是线性忆阻器LM(linear memristor)以及非线性忆阻器NLM(non-linear memristor)。

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